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　　　　　　基于SiGe BiCMOS 技術的射頻/混頻集成電路設計、制造及應用

.入.學.要.求.

學員學習本課程應具備下列基礎知識：
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為了保證培訓效果，增加互動環節，我們堅持小班授課，每期報名人數限3到5人，多余人員安排到下一期進行。

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上課地點：【上海】：同濟大學(滬西)/新城金郡商務樓(11號線白銀路站) 【深圳分部】：電影大廈(地鐵一號線大劇院站)/深圳大學成教院【北京分部】：北京中山學院/福鑫大樓【南京分部】：金港大廈(和燕路) 【武漢分部】：佳源大廈（高新二路）【成都分部】：領館區1號（中和大道）【沈陽分部】：沈陽理工大學/六宅臻品【鄭州分部】：鄭州大學/錦華大廈【石家莊分部】：河北科技大學/瑞景大廈
最近開課時間(周末班/連續班/晚班）： SiGe BiCMOS仿真培訓班：2025年4月7日--即將開課-----即將開課，歡迎垂詢......(歡迎您垂詢，視教育質量為生命！)

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　　　　　　　　基于SiGe BiCMOS 技術的射頻/混頻集成電路設計、制造及應用

近年來，鍺硅(SiGe BiCMOS) 技術由于其集成功能和成本優勢在通信領域射頻前端的市場占有率不斷增加，特別在電視、手機、無線局域網等領域都擁有巨大的市場，鍺硅技術已經引起芯片制造和設計業界的廣泛關注。

內容如下：

1、中國無線通信，電子產品應用芯片的市場機會
2、介紹主流IC廠商的WCDAM、WLAN、Tvtuner、Optical IC產品如何應用捷智半導體的鍺硅工藝以及技術支持
3、鍺硅射頻/混頻的典型電路設計及優化
4、GSM、CDMA、WLAN射頻電路的設計
5、混頻電路的設計與應用
6、模擬電路的設計與應用